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新型碳基磁随机存储器(MRAM)关键技术

发布时间:2018-05-02 【字体: 点击:335

项目名称新型碳基磁随机存储器(MRAM)关键技术
项目来源国家纳米中心
项目简介经过十年的长期研究,该项目科研团队通过多种方法、从实验上确认SP2杂化碳基材料,其产生的磁感应强度在纳米尺度上可以达到几十甚至近百特斯拉,并称之为巨磁矩效应。本项目的核心目标是利用该磁矩,构建新型的MRAM存储器,对性能开展研究、优化相关参数。 截止2019年4月底,标注该项目资助号的科研论文有6篇,正在申请的专利有两项。 QQ截图20190926165617.jpg
 
市场前景分析半导体存储器全球销售额巨大(~800亿美元/年),中国作为全球电子产品的制造基地,是存储器产品最大的需求市场。本项目研发的新型碳基磁随机存储器是下一代通用存储器,也是未来信息技术的核心技术、产品。随着技术推广和生产,价格会相应下降,在下一代计算机、手机中有极大应用前景。
科学家团队国家纳米中心孙连峰研究员团队长期从事一维纳米材料(碳纳米管、硅线等)以及异质结的制备、结构以及由其构建的电输运器件研究;纳米金属电级对的制备,量子点、单分子器件的研究;纳米器件中的尺寸效应、量子效应研究;石墨烯的可控制备以及性能研究。成果应用广泛,效果显著。  QQ截图20190926165738.jpg孙连峰 研究员