新型碳基磁随机存储器（MRAM）关键技术-中科院包头稀土研发中心

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发布时间：2018-05-02 【字体：大中小】点击：869

项目名称	新型碳基磁随机存储器（MRAM）关键技术
项目来源	国家纳米中心
项目简介	经过十年的长期研究，该项目科研团队通过多种方法、从实验上确认SP2杂化碳基材料，其产生的磁感应强度在纳米尺度上可以达到几十甚至近百特斯拉，并称之为巨磁矩效应。本项目的核心目标是利用该磁矩，构建新型的MRAM存储器，对性能开展研究、优化相关参数。截止2019年4月底，标注该项目资助号的科研论文有6篇，正在申请的专利有两项。
市场前景分析	半导体存储器全球销售额巨大（~800亿美元/年），中国作为全球电子产品的制造基地，是存储器产品最大的需求市场。本项目研发的新型碳基磁随机存储器是下一代通用存储器，也是未来信息技术的核心技术、产品。随着技术推广和生产，价格会相应下降，在下一代计算机、手机中有极大应用前景。
科学家团队	国家纳米中心孙连峰研究员团队长期从事一维纳米材料（碳纳米管、硅线等）以及异质结的制备、结构以及由其构建的电输运器件研究；纳米金属电级对的制备，量子点、单分子器件的研究；纳米器件中的尺寸效应、量子效应研究；石墨烯的可控制备以及性能研究。成果应用广泛，效果显著。	孙连峰研究员